إنتل تعيد رسم مستقبل الحوسبة بتقنيات ثورية في رحلة إنتل التقنية 2025

---

أخبار هنا العالم - من قلب صحراء أريزونا في مدينة فينيكس، انطلقت فعاليات «رحلة إنتل التقنية 2025» (Intel Technology Tour 2025)، حاملة رسالة واضحة مفادها أن شركة «إنتل» لا تقتصر على تطوير معالجاتها فحسب، بل تعيد ابتكار مستقبل الحوسبة من جذوره.

وفي هذا الحدث الحصري، الذي شاركت فيه «الشرق الأوسط» كوسيلة الإعلام الوحيدة من المنطقة، برزت رؤية الشركة التي تتجاوز حدود الابتكار التقني لتشكل تحوّلاً جذرياً في كيفية إدارة الذكاء الاصطناعي على مستوى عالمي خلال العقد المقبل.

في الجلسة الافتتاحية، أشار جيمس جونسون، نائب الرئيس الأول في «إنتل» والمدير العام لمجموعة الحوسبة الموجّهة للعملاء، إلى نقطة تحول تاريخية قائلاً: «لأول مرة في تاريخ صناعة أشباه الموصلات، ننقل توصيل الطاقة إلى الجهة الخلفية من الرقاقة» في إشارة إلى التقنية الثورية «باور فيا» (PowerVia). وأضاف: «هذا ليس تحسيناً تدريجياً، بل ثورة كاملة في كيفية تدفّق الكهرباء داخل الشريحة».

تُعد هذه التقنية، إلى جانب ترانزستورات «RibbonFET» بحجم 2 نانومتر، اللبنة الأساسية في استراتيجية «إنتل» الطموحة المسماة «خمس عقود تصنيع في أربع سنوات»، التي تهدف إلى استعادة الريادة في مجال التصنيع المتقدم بحلول عام 2026.

ووفقاً لستيفن روبنسون، الزميل العلمي في «إنتل»، فإن ما نشهده اليوم هو التقاء غير مسبوق بين الابتكار المعماري والنضج التصنيعي. يوضح روبنسون أن هذه القفزة التقنية تترجم عملياً إلى رقاقات تستهلك طاقة أقل بنسبة تصل إلى 30%، مع زيادة كثافة الأداء بنحو 10%، مما يعزز كفاءة الحواسيب ومراكز البيانات على حد سواء.

ويمتد تأثير هذا التطور من الأجهزة المحمولة إلى البنية التحتية السحابية، وهو ما يعكس تحولاً جوهرياً في منظومة الحوسبة الحديثة. ويؤكد روبنسون أن القضية لم تعد مجرد تصغير الترانزستور، بل إعادة التفكير في كيفية تفاعل كل مكونات النظام، من المواد والموصلات إلى البرمجيات، بهدف تحقيق كفاءة متفوقة.

تطلق «إنتل» على هذه المرحلة مفهوم «عصر التوافق الهندسي الشامل» (System Technology Co-Optimization)، وهو نهج جديد يجمع بين الفيزياء والمنطق والذكاء الاصطناعي ضمن دورة تصميم واحدة، معتبراً هذا التلاقي فرصة تاريخية نادرة في عمر صناعة التكنولوجيا.

---

مشاركة عبر:

---